锴威特:通过对SiC功率器件的结构设计和生产工艺进行不断探索和研发投入,已推出650V-1700V SiC MOSFET产品系列,SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段

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同花顺(300033)金融研究中心10月31日讯,有投资者向锴威特提问, 你好,贵公司SiC布局进展情况能说说吗?

公司回答表示,尊敬的投资者,您好!公司自2018年下半年开始研发SiC功率器件,积极布局第三代半导体,通过对SiC功率器件的结构设计和生产工艺进行不断探索和研发投入,已推出650V-1700V SiC MOSFET产品系列,SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。未来,公司还将进一步促进第三代半导体功率器件产品的量产落地与技术升级。感谢您的关注!

(责任编辑:贺

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